Descrizione di prodotto

Spessore di Wafer SiC di 8 pollici di tipo 4H-N 500±25um n dopato manichino di primo grado di ricerca

8 pollici 4H-N tipo SiC Wafer's abstract

Questo studio presenta la caratterizzazione di un wafer in carburo di silicio (SiC) di tipo 4H-N da 8 pollici destinato alle applicazioni dei semiconduttori.è stato fabbricato utilizzando tecniche all'avanguardia ed è dopato con impurità di tipo nPer valutare la qualità del cristallo, la morfologia superficiale, la composizione e l'effetto Hall, sono state utilizzate tecniche di caratterizzazione che includono la diffrazione a raggi X (XRD), la microscopia elettronica a scansione (SEM) e le misurazioni dell'effetto Hall.e proprietà elettriche del waferL'analisi XRD ha confermato la struttura poli-tipo 4H del Wafer SiC, mentre l'imaging SEM ha rivelato una morfologia superficiale uniforme e priva di difetti.Le misurazioni dell'effetto Hall hanno indicato un livello di doping di tipo n coerente e controllabile su tutta la superficie del waferI risultati suggeriscono che il wafer SiC di tipo 4H-N da 8 pollici presenta caratteristiche promettenti per l'uso in dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni.in particolare nelle applicazioni che richiedono un funzionamento ad alta potenza e ad alta temperaturaSono necessari ulteriori studi di ottimizzazione e integrazione dei dispositivi per sfruttare appieno il potenziale di questa piattaforma materiale.

Proprietà di una Wafer SiC da 8 pollici di tipo 4H-N

1. Struttura cristallina: presenta una struttura cristallina esagonale con un politipo 4H, fornendo proprietà elettroniche favorevoli per le applicazioni dei semiconduttori.

2. Diametro del wafer: 8 pollici, fornendo una grande superficie per la fabbricazione e la scalabilità del dispositivo.

3. Spessore della wafer: in genere 500 ± 25 μm, che fornisce stabilità meccanica e compatibilità con i processi di produzione dei semiconduttori.

4. Doping: doping di tipo N, in cui gli atomi di azoto vengono introdotti intenzionalmente come impurità per creare un eccesso di elettroni liberi nel reticolo cristallino.

5. Proprietà elettriche:

   • Alta mobilità elettronica, che consente un trasporto efficiente della carica.
   • Bassa resistività elettrica, che facilita la conduzione dell'elettricità.
   • Profil di doping controllato e uniforme su tutta la superficie del wafer.

6. Purezza del materiale: materiale SiC di alta purezza, con bassi livelli di impurità e difetti, che garantisce prestazioni e longevità affidabili del dispositivo.

7. Morfologia superficiale: morfologia superficiale liscia e priva di difetti, adatta per la crescita epitaxiale e i processi di fabbricazione dei dispositivi.

8. Proprietà termiche: elevata conduttività termica e stabilità a temperature elevate, che lo rendono adatto per applicazioni ad alta potenza e ad alta temperatura.

9. Proprietà ottiche: Ampia energia a banda larga e trasparenza nello spettro visibile e infrarosso, consentendo l'integrazione di dispositivi optoelettronici.

10. Proprietà meccaniche:

    • Alta resistenza meccanica e durezza, che forniscono durata e resistenza durante la movimentazione e la lavorazione.
    • Basso coefficiente di espansione termica, riducendo il rischio di crepazione indotta da stress termico durante il ciclo di temperatura.

      Numero	Articolo	Unità	Produzione	Ricerca	Cazzo.
      1	politipo		4H	4H	4H
      2	orientamento della superficie	°	< 11-20> 4±0.5	< 11-20> 4±0.5	< 11-20> 4±0.5
      3	dopante		Azoto di tipo n	Azoto di tipo n	Azoto di tipo n
      4	resistenza	Ohm · cm	0.015 ~ 0.025	0.01~0.03
      5	diametro	mm	200 ± 0.2	200 ± 0.2	200 ± 0.2
      6	spessore	μm	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25
      7	Orientazione della tacca	°	[1- 100]± 5	[1- 100]± 5	[1- 100]± 5
      8	Profondità di tacca	mm	Uno a uno.5	Uno a uno.5	Uno a uno.5
      9	LTV	μm	≤ 5 (± 10 mm × 10 mm)	≤ 5 (± 10 mm × 10 mm)	≤ 10 mm × 10 mm
      10	TTV	μm	≤ 10	≤ 10	≤ 15
      11	Inchinati.	μm	25 ~ 25	45 ~ 45	65 ~ 65
      12	Warp.	μm	≤ 30	≤ 50	≤ 70

Immagine di una Wafer SiC da 8 pollici di tipo 4H-N

Applicazione di Wafer SiC di tipo 4H-N da 8 pollici

Elettronica di potenza: le onde SiC sono ampiamente utilizzate nella fabbricazione di dispositivi di potenza quali i diodi Schottky, i MOSFET (metallo-ossido-semiconduttore transistor a effetto di campo),e IGBT (transistor bipolari a porta isolata)Questi dispositivi beneficiano dell'elevata tensione di rottura del SiC, della bassa resistenza in stato di funzionamento e delle prestazioni ad alta temperatura, che li rendono adatti alle applicazioni nei veicoli elettrici,sistemi di energia rinnovabile, e sistemi di distribuzione dell'energia.

Dispositivi a RF e a microonde: Le onde SiC sono utilizzate nello sviluppo di dispositivi RF ad alta frequenza (Radio Frequency) e microonde a causa della loro elevata mobilità elettronica e conduttività termica.Le applicazioni includono amplificatori ad alta potenza, interruttori RF e sistemi radar, in cui i vantaggi delle prestazioni del SiC consentono una gestione efficiente della potenza e un funzionamento ad alta frequenza.

Optoelettronica: Le onde SiC sono utilizzate nella fabbricazione di dispositivi optoelettronici quali fotodettori ultravioletti (UV), diodi emettitori di luce (LED) e diodi laser.L'ampio intervallo di banda del SiC e la trasparenza ottica nella gamma UV lo rendono adatto per applicazioni nel rilevamento UV, sterilizzazione UV e LED UV ad alta luminosità.

Elettronica ad alta temperatura: i Wafer SiC sono preferiti per sistemi elettronici che operano in ambienti difficili o a temperature elevate.e sistemi di controllo del motore per autoveicoli, in cui la stabilità termica e l'affidabilità del SiC consentono il funzionamento in condizioni estreme.

Tecnologia dei sensori: Le onde di SiC sono utilizzate nello sviluppo di sensori ad alte prestazioni per applicazioni quali il rilevamento della temperatura, il rilevamento della pressione e il rilevamento dei gas.I sensori basati sul SiC offrono vantaggi quali un'elevata sensibilità, tempi di risposta veloci e compatibilità con ambienti difficili, che li rendono adatti per applicazioni industriali, automobilistiche e aerospaziali.