Wafer GaP da 2 pollici con posizione/lunghezza EJ 0-1-1 / 16±1 mm LED LD Mobilità Min 100

Wafer GaP da 2 pollici con posizione OF/lunghezza EJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD Mobilità Min 100

Descrizione del prodotto:

Un wafer GaP è un substrato semiconduttore utilizzato principalmente nella fabbricazione di vari dispositivi elettronici e optoelettronici.Le onde di fosfuro di gallio (GaP) presentano proprietà ottiche ed elettroniche eccezionali che le rendono indispensabili nel campo della tecnologia dei semiconduttoriQuesti wafer sono rinomati per la loro capacità di generare luce attraverso diversi spettri, consentendo la produzione di LED e diodi laser in colori che vanno dal rosso, al verde, al giallo.

L'ampia banda di circa 2,26 electronvolt (eV) consente ai wafer GaP di assorbire efficacemente lunghezze d'onda specifiche di luce.rendendo il GaP una scelta eccellente per i fotodetettori, celle solari e altri dispositivi che richiedono un assorbimento della luce su misura.

Inoltre, il GaP dimostra una robusta conduttività elettronica e stabilità termica, il che lo rende adatto per dispositivi elettronici ad alta frequenza e applicazioni in cui la gestione termica è essenziale.

I wafer GaP non solo servono come materiale base per la produzione di dispositivi, ma fungono anche da substrati per la crescita epitaxiale di altri materiali semiconduttori.La loro stabilità chimica e i loro parametri di reticolo relativamente abbinati offrono un ambiente favorevole per la deposizione e la fabbricazione di strati di semiconduttori di alta qualità.

In sostanza, i wafer GaP sono substrati semiconduttori altamente versatili, fondamentali nella produzione di LED, diodi laser, dispositivi elettronici ad alta frequenza,e uno spettro di componenti optoelettronici grazie alla loro ottica superiore, elettronica e termica.

Caratteristiche:

• Nome del prodotto: Wafer GaP da substrato semiconduttore
• Wafer di ossido di silicio ultra spessa
• Wafer di ossido di silicio
• Tipo di condotto della goccia GaP: S-C-N
• Conducibilità
• Mobilità: Min 100
• L'angolo di orientamento del Wafer GaP: N/A
• Conteggio di particelle di Wafer GaP: N/A
• Spessore: Min 175 Max 225
• Conduttività elettrica: il GaP dimostra una buona conduttività elettrica.contribuire al suo utilizzo nei dispositivi elettronici ad alta frequenza e nelle applicazioni in cui è essenziale una prestazione elettronica affidabile.
• Stabilità termica: il GaP presenta una notevole conducibilità termica e stabilità, rendendolo adatto per applicazioni che richiedono una gestione termica efficace.
• Funzionalità del substrato: i wafer GaP servono non solo come materiale di base per la fabbricazione del dispositivo, ma anche come substrati per la crescita epitaxiale,con una lunghezza di 20 mm o più, ma non superiore a 20 mmLa loro compatibilità con altri materiali e i relativi parametri di rete facilitano la crescita di strati di semiconduttori di alta qualità.

Parametri tecnici:

Applicazioni:

• Fabbricazione di LED e dispositivi laser: i wafer GaP sono utilizzati nella fabbricazione di diodi emettitori di luce (LED) e diodi laser (LD).Le loro eccezionali proprietà ottiche consentono la produzione di luce a varie lunghezze d'onda, come il rosso.Questo rende il GaP vitale per applicazioni nell'illuminazione, nei display, nelle luci indicatrici e nei dispositivi laser.
• GaP Wafer Photodetectors: il GaP è utilizzato nella produzione di fotodetettori a causa delle sue capacità superiori di assorbimento della luce a lunghezze d'onda specifiche.Questi rivelatori sono utilizzati per ricevere e rilevare segnali luminosi all'interno di intervalli di lunghezza d'onda specifici, compresa la luce infrarossa.
• Cellule solari GaP Wafer: le celle solari GaP, pur avendo potenzialmente un'efficienza inferiore rispetto ad altri materiali, presentano buone proprietà di assorbimento della luce entro determinati spettri.Questo li rende adatti a specifiche fasce di lunghezza d'onda nelle applicazioni fotovoltaiche.
• Dispositivi semiconduttori: il GaP, come materiale semiconduttore, è utilizzato nella preparazione di dispositivi ottici progettati per intervalli di lunghezza d'onda specifici.a causa delle sue caratteristiche elettroniche, il GaP è utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici ad alta frequenza.
• Nel complesso, i Wafer GaP svolgono un ruolo cruciale nei settori dell'optoelettronica e dei dispositivi semiconduttori.con una lunghezza d'onda non superiore a 50 mm,.

Personalizzazione:

Marchio: ZMSH

Numero di modello: Wafer GaP

Luogo di origine: Cina

Max:10

Materiale: GaP

IF Posizione/lunghezza: EJ[0-1-1]/7±1 mm

Grado: A

Dopante: S

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Supporto e servizi:

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